品玩3月11日讯,据财联社引市场消息,三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂,6、7月份动工,并及时导入设备。根据三星的说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。
品玩3月11日讯,据财联社引市场消息,三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂,6、7月份动工,并及时导入设备。根据三星的说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。