品玩8月5日讯,近日,英特尔 CEO 帕特・基尔辛格(Pat Gelsinger)和技术开发高级副总裁安・凯勒(Ann Kelleher)披露未来计划。
首先,英特尔已经不再沿用之前的产品命名方式。他们之前将 10 纳米芯片命名为“Enhanced Superfin”,现在直接改名为“7”。
英特尔预计今年秋天将推出 Alder Lake 芯片,将高功率和低功率核心融合在一起。之后则是将目前的 4 纳米 Meteor Lake 芯片迁移到 tile 设计,并融合英特尔的 3D 堆叠芯片技术 Foveros。
除此之外,英特尔还为基于 EUV 的 3 纳米芯片设计了一项技术,将会使用高能制造工艺简化芯片制造流程,并为埃米级技术规划了“20A”的入门单位。1 埃米等于 1/10 纳米,所以 20A 的意思就是 2 纳米,此后还有 18A。18A (1.8 纳米)产品预计将从 2025 年开始投入生产,相应的产品将在 2025 至 2030 年间面市。