品玩7月27日讯，据快科技报道，今天凌晨Intel正式召开会议，介绍了Intel在芯片工艺及封装上的进展，其中一个重要内容就是全新的CPU工艺路线图。10nm工艺变成了Intel 7，7nm变成了Intel 4，未来还有Intel 3、Intel 20A。

相比Tiger Lkae上的10nm Superfin工艺，Intel 7工艺的每瓦性能提升10-15%（注意Intel介绍性能提升的方式也变了，说的是每瓦性能），首先应用于今年底的Alder Lake，数据中心处理器Sapphire Rapids则会在明年用上Intel 7工艺。

Intel原先的7nm工艺则会改名为Intel 4，这会是Intel首个应用EUV光刻工艺的FinFET工艺，每瓦性能提升20%，2022年下半年开始生产，2023年产品出货。

Intel 4工艺之后是Intel 3工艺，是最后一代FinFET工艺，每瓦性能提升18%，2023年下半年开始生产。

再往后Intel也会放弃FinFET晶体管技术，转向GAA晶体管，新工艺名为Intel 20A，会升级到两大突破性技术——PowerVia、RibbonFET，前者是Intel独创的供电技术，后者是GAA晶体管的Intel技术实现，预计2024年问世。

2025年及之后的工艺还在开发中，命名为Intel 18A，会继续改进RibbonFET工艺，同时会用上ASML下一代的高NA EUV光刻机，量产时间不定。