PingWest品玩1月12日讯，根据Tom’s Hardware报道，三星计划最早在2021年开始量产3nm工艺芯片。同时，三星计划将在今年下半年开始生产7nm EUV芯片。

在去年，三星还表示将在2020年用上4nm GAAFET（Gate-all-around FET，或称“环绕式结构FET”）工艺。当时一些业内人士预测，该工艺最早会在2022年实现量产，但目前看来三星会比预测更快的实现量产。

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